西南片区首座“新一代高可靠”智能变电站投运

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密度泛函理论（DFT）第一性原理计算结果显示，片区PHCNT-4中的Na+迁移受到缺陷的显著影响，其迁移势垒远低于CNT，这有利于Na+的吸附和迁移。首座图4d显示了上述样品在100Ag-1时的GCD曲线。

图5g对比比较了几种碳材料的比容量和速率性能，代高其中PHCNT-4因具有丰富的微孔/介孔、代高大孔体积、增强的表面积和优异的电导率，表现了比碳纳米管等材料更高的比电容和循环容量。与In3+物种相比，可靠Zn2+物种的价态较低，因此在高温氧化还原反应过程中消耗的碳纳米粒子更少，从而提高了石墨化程度（图3c）。PHCNT-4电极在0.1、智能站投0.5和1Ag-1时分别表现出318.6、275.1和256.9mAhg-1的可逆容量，占CNT的分别为122.4、62.7和53.1mAhg-1的260-484%。

此外，变电电子态密度（DOS）函数分析揭示了PHCNT-4具有更高的电导率，这与实验结果一致，表明其更适合作为电极材料。O1s高分辨率光谱证实了酸刻后PHCNT-4材料中的In-O键的消失，西南新这与TEM和PXRD结果一致，表明酸化成功去除了残留的金属纳米颗粒。

193.4mAhg-1 @5Ag-1），片区显示出其卓越的电容储能能力。

这些结构通过热解（图2e，首座f）和酸蚀（图2g）得到强化，形成具有大表面积和丰富孔结构的多孔PHCNT-4。该研究呈现了一项可扩展的技术创新，代高用于芯片制造, 工业热管理，和可持续新能源。

可靠相关研究成果Electricallygatedmolecularthermalswitch为题刚刚发表在Science上。加州大学洛杉矶分校团队展示了电子控制热晶体管，智能站投其开关速度超过1兆赫兹或每秒100万个周期，实现了创纪录的高性能。

变电这些半导体器件可以放大或切换电信号和功率。这种新型电子器件应用范围广泛，西南新能够以最高速度准确地开启和关闭热量，从而大大提高芯片的热管理和工作性能。